Биполярные транзисторы

  • Просмотров 2105
  • Скачиваний 59
  • Размер файла 122
    Кб

ТЕМА 4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 4.1 Устройство и принцип действия Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропроводности и пригодный для усиления мощности. Выпускаемые в настоящее время биполярные транзисторы можно классифицировать по следующим признакам: по материалу: германиевые и кремниевые; по виду проводимости областей: типа р-n-р и n-p-n; по мощности:

малой (Рмах  0,3Вт), средней (Рмах  1,5Вт) и большой мощности (Рмах  1,5Вт); по частоте: низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и СВЧ. В биполярных транзисторах ток определяется движением носителей заряда двух типов: электронов и дырок (или основными и неосновными). Отсюда их название – биполярные. В настоящее время изготавливаются и применяются исключительно транзисторы с плоскостными р-n- переходами. Устройство

плоскостного биполярного транзистора показано схематично на рис. 4.1. Он представляет собой пластинку германия или кремния, в которой созданы три области с различной электропроводностью. У транзистора типа n-р-n средняя область имеет дырочную, а крайние области – электронную электропроводность. Транзисторы типа р-n-р имеют среднюю область с электронной, а крайние области с дырочной электропроводностью. Средняя область

транзистора называется базой, одна крайняя область – эмиттером, другая – коллектором. Таким образом в транзисторе имеются два р-n- перехода: эмиттерный – между эмиттером и базой и коллекторный – между базой и коллектором. Площадь эмиттерного перехода меньше площади коллекторного перехода. Эмиттером называется область транзистора назначением которой является инжекция носителей заряда в базу. Коллектором называют область,

назначением которой является экстракция носителей заряда из базы. Базой является область, в которую инжектируются эмиттером неосновные для этой области носители заряда. Концентрация основных носителей заряда в эмиттере во много раз больше концентрации основных носителей заряда в базе, а их концентрация в коллекторе несколько меньше концентрации в эмиттере. Поэтому проводимость эмиттера на несколько порядков выше