Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок — страница 5

Методы получения мышьяка и его соединений высокой степени чистоты. Общее содержание примесей в мышьяке используемом для синтеза арсенида индия, не должно превышать 1×10-5%, суммарное содержание селена и теллура должно быть < 1×10-6% каждого в отдельности. Наиболее перспективными технологиями очистки мышьяка являются хлоридная и гидридная с получением промежуточных высоко чистых продуктов треххлористого мышьяка или

гидрида мышьяка. Хлоридная схема получения чистого мышьяка включает: ·       хлорирование металлического мышьяка хлором или взаимодействие трехокиси мышьяка с соляной кислотой; ·       очистку трихлорида мышьяка ректификацией; ·       восстановление очищенного трихлорида мышьяка водородом до компактного металлического мышьяка. Перед ректификацией треххлорида мышьяка проводят

сорбционную очистку. Для получения особо чистых гидрида мышьяка и элементарного мышьяка используется гидридная схема. Гидридная технология мышьяка имеет ряд преимуществ: ·       содержание мышьяка в гидриде выше, чем в любом другом соединении; ·       разложение гидрида мышьяка происходит при невысоких температурах и отсутствует необходимость в восстановлении; ·       гидриды имеют

малую реакционную способность по отношению к конструкционным материалам при температурах синтеза и очистки. Недостатками гидрида мышьяка являются высокая токсичность и взрывоопасность. Гидридная технология очистки мышьяка состоит из следующих этапов: ·       синтез арсенида металла II группы; ·       гидролиз арсенида с получением арсина; ·       очистка арсина сорбцией;

·       вымораживание и ректификация; ·      разложение арсина до металлического мышьяка. Мышьяк, полученный по приведенным схемам, с успехом используется для синтеза арсенида индия. Кроме того, треххлористый мышьяк находит широкое применение для нарашивания эпитаксиальных слоев арсенида индия. Эпитаксиальное наращивание арсенида индия из газовой фазы. Газотранспортные процессы, в основе которых

лежат обратимые химические реакции, широко применяются для получения эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А3В5. Основными достоинствами процесса получения эпитаксиальных слоев арсенида индия из газовой фазы в проточной системе являются: ·       простота конструктивного оформления процесса; ·       низкое пересыщение вещества над растущим кристаллом; ·