Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок — страница 4

материалы. Арсенид индия с трудом поддается очистке кристаллизационными методами в следствие высокого давления диссоциации при температуре плавления, высокой химической активности индия и мышьяка при температуре выращивания и близких к единице значений коэффициентов распределения основных примесей в исходных элементах, таких как сера, селен, цинк и др., а также из-за загрязнением кремнием из кварца при высокой температуре.

Методы глубокой очистки индия. В индии предназначенном для синтеза полупроводниковых соединений, лимитирующими являются следующие примеси: алюминий, медь, магний, кремний, серебро, кальций, серебро и сера. Применяемые методы очистки индия можно разделить на химические и физические. Методы первой группы - субхлоридный, экстракционный, электролитический и перекристаллизация солей из растворов. Химические методы требуют

наличия сверхчистых вспомогательных материалов кислот, щелочей, органических растворителей. Методы второй группы (физические) - термообработка, ректификация, вытягивание из расплава и зонная плавка - включают воздействие на индий каких-либо вспомогательных химических реактивов. При применении для приготовлении электролита особо чистого натрия электролитическое рафинирование индия позволяет получить индий чистотой 99,9999%

(выход по току 90%). Субхлоридный метод получения индия высокой чистоты позволяет получать индий чистотой 99,9999%. Для успешного осуществления метода вакуумной термообработки необходимо выполнения следующих условий: ·      материал контейнера должен быть достаточно чистым и не взаимодействовать с расплавленном индием; ·      термообработка должна проводится в условиях высокого вакуума (10-6 мм рт.ст.) и в

остаточной атмосфере, не содержащей углеводородов. Термообработка индия проводится в интервале температур 500-900ОС. Верхний предел температурного интервала ограничивается взаимодействием расплавленного индия с кварцем и значительным увеличение упругости пара индия. Вакуумная термообработка позволяет получить индий чистотой 99,9999%. Зонная плавка электрически рафинированного индия позволяет осуществлять дальнейшую очистку

его от примесей. При вытягивании кристаллов индия по методу Чохральского эффективная очистка происходит при выращивании кристаллов с большими скоростями вращения затравки (60-100 об/мин) и скоростью роста 2см/ч. Чистота индия выращенного по методу Чохральского, выше 99,9999%. Применение только одного способа очистки индия может оказаться недостаточным, и возможно потребуется сочетание различных способов (физических и химических).