Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок — страница 13

Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия, 1979. 408 с. 10.Обзоры по электронной технике: Кинетика осаждения эпитаксиальных слоев соединений АIIIBV из газовой фазы/Стрельченко С. С., Матяш А. А., М., 11979. Вып. 8 (678). Сер. 6, “Материалы”. 56 с. 11.Обзоры по электронной технике: Молекулярно-лучевая эпитаксия (особенности технологии и свойства пленок)/Денисов А. Г., Садофьев Ю. Г., Сеничкин А. П. М., 1980. Вып. 14 (762). Сер. 7,

“Технология, организация производства и оборудование”. 76 с. 12.Олсен Г. Х., Эттенберг М. Особенности получения гетероэпитаксиальных структур типа АIIIBV.- В кн. Рост кристаллов. М.: Мир, 1981, с. 9-77. 13.Крессел Г., Нельсон Г. Свойства и применение пленок соединений элементов групп III и V, полученных эпитаксией из жидкой фазы.- В кн.: Физика тонких пленок. М.: Мир, 1977, т. 7, с. 58-63. 14.Wieder H. H. Transport coefficients of InAs epilayers.-Appl. Phys. Lett., 1974, v. 25, N 4, p. 206-208. 15.Mc Carthy J. P.

Preparation and properties of epitaxial InAs.- Solid- State Electron, 1967, v. 10, N 7, p. 649-655. 16.Исследование начальных стадий роста, структурных и электрофизических свойств гетероэпитаксиальных слоев InAs на GaAs/Стрельченко С. С., Захаров Б. Г., Гурфинкель В. И. и др.- В кн.: Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1977, ч. 2, с. 98-106. 17.Molecular beat epitaxial growth of InAs/Yano M., Nogami M., Matsuchima Y., Kimata M.- Japan. J. Appl. Phys., 1977, v. 16, N 12, p. 2131-2137. 18.Маделунг О. Физика

полупроводниковых соединений элементов III и V групп/Пер. с англ. под ред. Б. И. Болтаксаю М.: Мир, 1967. 477 с. 19.Горюнова Н. А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Советское радио, 1968. 267 с. 20.Хилсум К., Роуз-Инс А. Полупроволники типа А3В5/Пер. с англ. М.:ИЛ,1963.324 с. 21.Разуваев Г.А., Грибов Б.Г., Домрачев Г.А., Саламатин Б.А. Металлоорганические соединения. М.:Наука, 1972. 479 с. 22.Гидриды, галиды, МОС особой чистоты. М.: Наука,1976.143 с. 23.Осаждение пленок

и покрытий разложением МОС. М.: Наука, 1981. 322 с. 24.Активируемые процессы технологии микроэлектроники: Межвузовский тематический научный сборник. Вып. 1. Таганрог, 1975. 25.Корзо В.Ф. и др. Пленки из элементорганических соединений в радиоэлектронике. М.:Энергия, 1973.