Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок — страница 12

  • Просмотров 12384
  • Скачиваний 608
  • Размер файла 35
    Кб

выращивании арсенида индия методом МЛЭ используют элементы IV групп, такие, как Si, Ge и Sn. Они могут входить в подрешетку индия или мышьяка, и тип легирования будет зависить от соотношения вакансий индия и мышьяка. Наименее чувствительно к этому соотношению олово, введение которого дает материал n-типа. Самой распространенной донорной примесью, по-видимому, кремний, при его использовании достигается наиболее высокая подвижность

при температуре жидкого азота, которая обычно считается основным параметром, характеризующим качество арсенида индия. Концентрация электронов в слоях арсенида индия, выращенных методом МЛЭ, может превышать 5×1018 см-3, что значительно больше той концентрации, которая достигается при использовании газофазной эпитаксии. Еще одним преимуществом МЛЭ является сглаживание поверхности арсенида индия в процессе роста. Благодаря

этому свойству метод МЛЭ особенно удобно использовать при выращивании гетеропереходов, сверхрешеток и многослойных структур. Как и в случае остальных эпитаксиальных методов, решающим для качества будущей пленки является качество приготовления подложки. Заключение. Результаты сравнения различных методов эпитаксиального выращивания приведены в табл. 1. Список использованной литературы: 1.    Вайсс Г. Физика

гальваномагнитных полупроводниковых приборов и их применение/Пер. с нем. под ред. Хомерики О. К. М.: Энергия, 1974. 384 с. 2.    Исследование пригодности гомо- и гетероэпитаксиальных слоев GaAs, InAs и InSb для создания датчиков Холла различных направлений/ Портной Г. Я., Постных О. А., Тихонов В. И., Бессонов В. И.- В кн.: Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников. Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1981, с. 127-132.

3.    Герловин И. Л., Двас В. С., Лихницкий М. И. Гальваномагнитные эффекты и их использование. М.: Машиностроение, 1967. 72 с. 4.    Александров Л. Н. Гетероэпитаксиальное осаждение полупроводниковых пленок.- Микроэлектроника, 1972, т. 1, № 2, с. 120-133. 5.    Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок/ Под ред. Александрова Л.Н. Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1972. 226 с. 6.    Андреев В. М., Долгинов Л. М., Третьяков Д.

Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Советское радио, 1975. 328 с. 7.    Палатник Л. С., Папиров И. И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971. 480 с. 8.    Обзоры по электронной технике: Развитие теории и практики эпитаксиального наращивания из жидкой фазы на примере GaP/Федоров В. А., Минаждинов М. С., Невский О. Б., Одинцова И. Р. М., 1980. Вып. 3 (724). Сер. 6. “Материалы”. 22 с. 9.    Чистяков Д.Ю., Райков Ю. П.