Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок

  • Просмотров 6107
  • Скачиваний 565
  • Размер файла 35
    Кб

Московский Государственный Технический Университет им. Н. Э. Баумана Калужский филиал КАФЕДРА МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ И МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ Курсовая работа по курсу:” Технология материалов электронной техники” ТЕМА: ” Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок.” Выполнил: Тимофеев А. Ю. Группа: ФТМ-71 Проверил: Кунакин Ю. И. г. Калуга 1996 год Содержание Введение. 3 Электрофизические

свойства объемного арсенида индия. 3 ·     Зонная структура арсенида индия. 3 ·     Оптические свойства арсенида индия. 4 ·     Подвижность в арсениде индия. 5 Методы глубокой очистки индия и мышьяка. 6 ·     Методы глубокой очистки индия. 6 ·      Методы получения мышьяка и его соединений высокой степени чистоты. 7 Эпитаксиальное наращивание арсенида индия из газовой фазы. 7

·      Система In-AsCl3-H2 . 8 ·      Система In-HCl-AsH3-H2. 9 ·     Система InAs-SiCl4-H2. 10 ·     Пиролиз МОС. 11 Жидкофазная эпитаксия арсенида индия. 12 Молекулярно лучевая эпитаксия арсенида индия. 13 Заключение. 14 Список использованной литературы. 16 Введение. Эпитаксиальный арсенид индия - перспективный материал электронной техники. Высокая подвижность электронов в арсениде индия прямозонная структура

позволяют использовать его для изготовления высокоэффективных электронных и оптоэлектронных приборов, в частности быстродействующих транзисторов и интегральных схем, фотоприемных детекторов ИК - диапазона, инжекционных лазеров с длиной волны »3,5 мкм. Однако широкое использование тонкопленочных структур арсенида индия сдерживается отсутствием полуизолирующих подложек в связи с малой шириной запрещенной зоны арсенида

индия. Следует также отметить недостаточную механическую прочность материала. Указанные проблемы могут быть преодолены, по крайней мере частично, при гетероэпитаксиальном выращивании арсенида индия. В этом случае, как правило, эпитаксию проводят на подложках арсенида галлия с ориентацией поверхности (001). Значительное рассогласование параметров решеток арсенида индия и арсенида галлия 7.4% приводит при получении