20 задач по промышленной электронике

  • Просмотров 6516
  • Скачиваний 767
  • Размер файла 58
    Кб

Задача1……………………………………………………………………2 Задача2……………………………………………………………………2 Задача3……………………………………………………………………3 Задача4……………………………………………………………………7 Задача5…………………………………………………………………...11 Задача6…………………………………………………………………...12 Задача7…………………………………………………………………...13 Задача8…………………………………………………………………...14

Задача9…………………………………………………………………...15 Задача10………………………………………………………………….17 Задача11………………………………………………………………….18 Задача12………………………………………………………………….20 Задача 13…………………………………………………………………22 Задача 14…………………………………………………………………23 Задача 15…………………………………………………………………24 Задача 16…………………………………………………………………26 Задача

17…………………………………………………………………28 Задача 18…………………………………………………………………29 Задача 19…………………………………………………………………31 Задача 20…………………………………………………………………32 Список используемых источников информации……………………...34                                               Шифр 04 Задача 1 Вариант2 При введении(легировании) в Германий- Сурьмы,а в Кремний- Фосфора

возникает электронный тип проводимости,т.к Германий и Кремний элементы 4 группы,а Сурьма и Фосфор 5-ой,следовательно Sb и P являются донорными примесями для Ge и Si. При понижении температуры сопротивление увеличивается,как прямое, так и обратное, а также появляется вероятность механических повреждений кристалла из-за увеличивающейся хрупкости .Так для германиевых диодов допустимый интервал температур окружающей среды лежит в

пределах Шифр 04 Задача 2 Вариант3 Рисунок SEQ Рисунок * ARABIC 1 1.-дрейф дырки 2.-диффузия электрона в результате дрейфа дырки Процесс востановления связей за счёт перемещения электронов от одного атома к другому,удобно представить в виде противоположно направленного движения дырок,которые имеют положительный заряд.Процесс образования в чистом полупроводнике пары электрон в зоне проводимости-дырка в валентной зоне называется